tiên tiến này Mô-đun năng lượng mặt trời nửa tế bào tích hợp công nghệ đơn tinh thể loại N, thiết kế nửa tế bào và kiến trúc nhiều cổng để mang lại hiệu suất vượt trội, ngay cả trong môi trường khắc nghiệt. Với khả năng phát điện hai mặt, bảo vệ chống PID và kết cấu chắc chắn, đây là lựa chọn lý tưởng cho những người dùng đang tìm kiếm hiệu suất, độ bền và ROI dài hạn hàng đầu. Cho dù bạn đang xây dựng một trang trại năng lượng mặt trời lớn hay nâng cấp mái nhà thương mại, tấm pin này sẽ đặt ra tiêu chuẩn mới cho các giải pháp năng lượng mặt trời công suất cao.
Tấm pin mặt trời hai mặt thu ánh sáng mặt trời từ cả bề mặt phía trước và phía sau, tăng sản lượng năng lượng lên tới 30% so với các tấm pin một mặt truyền thống. Cấu trúc nửa ô giúp giảm tổn thất dòng điện và cải thiện khả năng chịu bóng, đảm bảo hiệu suất ổn định ngay cả khi một phần của bảng điều khiển bị che phủ.
Được chế tạo bằng các tế bào silicon đơn tinh thể loại N cao cấp , bảng điều khiển mang lại hiệu suất chuyển đổi cao hơn, tốc độ suy giảm thấp hơn và hệ số nhiệt độ tốt hơn so với các lựa chọn thay thế loại P. Điều này có nghĩa là sản xuất nhiều năng lượng hơn trong suốt thời gian sử dụng của tấm pin, tối đa hóa lợi nhuận đầu tư của bạn.
Được trang bị công nghệ đa cổng , bảng điều khiển tăng cường thu thập dòng điện và giảm điện trở, nâng cao hơn nữa hiệu quả. Chức tích hợp năng bảo đảm chống PID giúp ngăn chặn tình trạng xuống cấp do khả năng gây ra, đảm bảo hiệu suất ổn định trong hơn 25 năm và giảm thiểu chi phí bảo trì.
Được thiết kế để chịu được các điều kiện khắc nghiệt, bảng điều khiển có kính cường lực ít sắt 3,2 mm, khung hợp kim nhôm anod hóa và tấm nền TBT bền bỉ. Nó tự hào có khả năng tải phía trước 2400 Pa và khả năng tải phía sau 5400 Pa, chống gió, tuyết và ăn mòn để vận hành đáng tin cậy trong môi trường khắc nghiệt.
Với dung sai kích thước nghiêm ngặt (chiều dài: ±2mm, chiều rộng: ±2mm, độ dày: ±1mm), bảng điều khiển đảm bảo lắp đặt dễ dàng và tương thích với các hệ thống lắp đặt tiêu chuẩn. Dung sai công suất dương 0~+3% đảm bảo đầu ra đáp ứng hoặc vượt quá công suất định mức, mang lại hiệu suất ổn định như quảng cáo.
Đặc điểm kỹ thuật |
Chi tiết |
Loại pin |
Tấm pin mặt trời silicon đơn tinh thể loại P (tích hợp mô-đun loại N) |
Số lượng nửa tế bào |
144 (6×24) |
Dải công suất |
530W-550W (dung sai dương 0 ~ + 3%) |
Kích thước mô-đun |
2274×1134×35mm |
Trọng lượng thành phần |
28,9kg |
Chất liệu kính bề mặt trên |
Kính cường lực có độ sắt thấp được phủ độ trong suốt cao 3,2mm |
Khung |
Nhôm anodized và hợp kim nhôm |
Hộp nối |
Cấp độ bảo vệ IP68 |
Dây dẫn đầu ra |
TUV 1x4.0mm² dây (dương: 400mm, âm: 200mm; có thể tùy chỉnh) |
Khả năng chịu tải |
Phía trước: 2400 Pa; Phía sau: 5400 Pa |
Công nghệ chủ chốt |
Công nghệ Half-cell, Công nghệ đa cổng, Đảm bảo chống PID |
Công suất cao và thiết kế hai mặt của mô -đun năng lượng mặt trời 530-550W khiến nó trở nên hoàn hảo cho các dự án quy mô tiện ích, giảm chi phí sử dụng đất và lắp đặt đồng thời tối đa hóa hiệu suất năng lượng.
Các doanh nghiệp có nhu cầu năng lượng cao được hưởng lợi từ hiệu quả của tấm pin, bù đắp hóa đơn tiền điện lớn và giảm lượng khí thải carbon với yêu cầu không gian trên sân thượng tối thiểu.
Lý tưởng cho các khu vực có bề mặt phản chiếu (tuyết, bê tông hoặc mái nhà màu trắng), thiết kế hai mặt giúp khuếch đại khả năng thu năng lượng, khiến nó trở thành lựa chọn hàng đầu cho những khu vực có điều kiện thời tiết khác nhau.
Với khả năng chịu nhiệt vượt trội và khả năng thích ứng với nhiệt độ khắc nghiệt (-50°C đến 100°C), tấm nền này hoạt động đáng tin cậy ở sa mạc, vùng ven biển và vùng khí hậu lạnh.
Thiết kế hai mặt thu ánh sáng mặt trời từ cả bề mặt phía trước và phía sau, tăng sản lượng năng lượng lên tới 30% so với các tấm một mặt truyền thống.
Dải công suất của nó là 530W-550W với dung sai dương 0 ~ + 3%, đảm bảo đầu ra đáp ứng hoặc vượt quá công suất định mức.
Nó có khả năng chịu tải phía trước là 2400 Pa và tải trọng phía sau là 5400 Pa, có khả năng chống gió, tuyết và ăn mòn—lý tưởng cho các sa mạc, vùng ven biển và vùng khí hậu lạnh.
Tế bào đơn tinh thể loại N mang lại hiệu suất chuyển đổi cao hơn, tốc độ phân hủy thấp hơn và hệ số nhiệt độ tốt hơn, đảm bảo sản xuất nhiều năng lượng hơn trong suốt tuổi thọ của tấm pin.
